| 热(rè)門(mén)搜索: 压敏電(diàn)阻 热(rè)敏電(diàn)阻 温(wēn)度(dù)傳感(gǎn)器 |
压敏電(diàn)阻采購,就(jiù)選源林(lín)電(diàn)子,品類(lèi)豐富
压敏電(diàn)阻的(de)物(wù)理(lǐ)特(tè)性(xìng):
ZnO 压敏電(diàn)阻的(de)非(fēi)線(xiàn)性(xìng)是(shì)一(yī)種(zhǒng)晶粒(lì)邊(biān)界現(xiàn)象(xiàng),即在(zài)相 邻晶粒(lì)耗盡层(céng)中(zhōng)存在(zài)多數電(diàn)荷载(zài)流子(電(diàn)子)的(de)勢壘。認 为(wèi)肖特(tè)基勢壘像 ZnO 微结構中(zhōng)晶粒(lì)邊(biān)界勢壘。晶粒(lì)邊(biān)界 上(shàng)的(de)負表(biǎo)面(miàn)電(diàn)荷(電(diàn)子捕獲)是(shì)由晶界面(miàn)两(liǎng)側晶粒(lì)的(de)耗盡 层(céng)的(de)正(zhèng)電(diàn)荷来(lái)補償的(de)。热(rè)電(diàn)子發(fà)射和(hé)隧道(dào)效應(yìng)是(shì)主要(yào)的(de)傳 输機(jī)制。 近(jìn)發(fà)展(zhǎn)的(de)压敏電(diàn)阻勢壘的(de)晶粒(lì)邊(biān)界缺陷模型在(zài)改進(jìn) 穩電(diàn)压應(yìng)力下(xià),压敏電(diàn)阻的(de)穩定(dìng)性(xìng)上(shàng)取(qǔ)得了(le)很大(dà)進(jìn)展(zhǎn)。

由于压敏電(diàn)阻型号(hào)太多,每个(gè)客戶的(de)个(gè)性(xìng)化(huà)需求不(bù)一(yī),想(xiǎng)了(le)解(jiě)更(gèng)多压敏電(diàn)阻的(de)信(xìn)息,请撥打(dǎ)图(tú)片(piàn)中(zhōng)的(de)咨詢電(diàn)話(huà)與(yǔ)我们(men)源林(lín)電(diàn)子(www.jqmi.com.cn)聯系(xì),謝謝






压敏電(diàn)阻采購,就(jiù)選源林(lín)電(diàn)子,自(zì)有(yǒu)研發(fà)隊伍
压敏電(diàn)阻器在(zài)電(diàn)路(lù)的(de)过(guò)電(diàn)压防護中(zhōng),如(rú)果(guǒ)正(zhèng)常工作(zuò)在(zài)预击穿區(qū)和(hé)击穿區(qū),理(lǐ)论上(shàng)是(shì)不(bù)会損壞的(de)。但由于压敏電(diàn)阻器要(yào)长(cháng)期(qī)承受電(diàn)源電(diàn)压,電(diàn)路(lù)中(zhōng)暂态过(guò)電(diàn)压、超能(néng)量(liàng)过(guò)電(diàn)压随機(jī)的(de)不(bù)斷沖击及(jí)吸收(shōu)電(diàn)路(lù)儲能(néng)元(yuán)件(jiàn)釋放(fàng)能(néng)量(liàng),因此(cǐ),压敏電(diàn)阻器也(yě)是(shì)会損壞的(de)它(tā)的(de)壽命根(gēn)據(jù)所(suǒ)在(zài)電(diàn)路(lù)經(jīng)受的(de)过(guò)電(diàn)压幅值和(hé)能(néng)量(liàng)的(de)不(bù)同(tóng)而(ér)不(bù)同(tóng)。

源林(lín)電(diàn)子(www.jqmi.com.cn)的(de)压敏電(diàn)阻,工藝先(xiān)進(jìn),質(zhì)量(liàng)可(kě)靠,量(liàng)大(dà)價從優,歡迎来(lái)電(diàn)咨詢!
您好,歡迎莅臨源林(lín)電(diàn)子,歡迎咨詢...
![]() 触屏版二(èr)維碼 |